1月14日，IEEE Fellow、美國應用材料公司（AMAT）ChorngPing-Chang博士一行到微電子所訪問交流。微電子所副總工程師梁利平研究員主持交流會，重點實驗室主任劉明院士，高頻高壓中心主任金智研究員，先導中心副主任殷華湘研究員、羅軍研究員，重點實驗室副主任劉琦研究員等參加了交流活動。
交流會上，梁利平對ChorngPing-Chang博士一行的到來表示熱烈歡迎，并對微電子所整體情況進行了介紹。劉琦介紹了重點實驗室在新型存儲器和內存計算技術方面的研究進展。高頻高壓中心黃森研究員介紹了高頻高壓中心在SiC電力電子器件、GaN功率器件方面的研究成果。殷華湘介紹了先導中心基于先進CMOS工藝和材料技術的Si量子點的研究。AMAT技術人員介紹了公司的主營業務、研發方向及西安實驗室在設備方面的相關情況。雙方就新型存儲器、大功率半導體器件、量子器件等方面進行了探討，希望未來在相關方面進一步開展合作。會后，ChorngPing-Chang博士一行參觀了先導中心工藝線。
ChorngPing-Chang博士榮膺2016年IEEE Fellow，在研究“CMOS技術的替代柵極和淺溝槽隔離”貢獻卓著，其研究對集成電路制造的進展深具影響。
會議現場
工藝線參觀
綜合信息