所況介紹
微電子研究所（以下簡稱“微電子所”）的前身——原109廠成立于1958年。1986年，109廠與半導體研究所、計算技術研究所有關研制大規模集成電路部分合并為微電子中心。2003年9月，正式更名為微電子研究所。 微電子所的戰略定位是：中國微電子技術創新的引領者和產業發...
黨委書記、副所長（主持工作）：戴博偉 副所長：王文武 副所長：曹立強 黨委副書記、紀委書記：趙志剛
機構設置
科研工作
人才隊伍
研究生教育
黨建與創新文化
工 會
團 委
婦委會
科學普及
院地合作與產業化
微電子所堅持“企業為主體、市場為導向、產學研結合”方針，進行機制體制創新，探索科技成果轉移轉化的新途徑，提出了“全方位開放合作，將微電子所建設成為推進產業技...
微電子所長期高度重視知識產權工作，在電子信息領域取得了極為可觀的知識產權創造和應用成績，同時培養了一支專業的知識產權運營服務隊伍，為高價值知識產權培育運營奠定了堅實的基礎。為了面向全產業進行服務，更好地推動產業的知識...
組織研究部門與地方、企業、高校的科技交流與項目合作。組織推進以對外投資為主的科技成果轉移轉化及產業化，與地方政府成立并建設集成電路產業園，策劃和組織京外院地合作項目。負責院地合作協議的審...
基金工作主要是結合研究所實際和產業發展態勢，探索創新鏈、產業鏈和金融鏈結合的產業化發展模式，帶動產業資源、資本和市場資源等與科研的結合，盤活微電子所科研成果，進一步推動成果轉移轉化，產業...
信息公開
近日，中國科學院微電子研究所研究員Henry Radamson和副研究員王桂磊在先導中心8寸平臺上成功制造絕緣體上張應變鍺（TSGOI）晶圓。該項技術突破，實現了工藝過程中對Ge的誘導應變微調，使Ge的帶隙改變為0.7eV。以此類Ge襯底制備的PMOS器件實現了506cm2V-1s-1的高空穴遷移率。這一成果為微電子學和光子學的單片集成提供了新的路徑和解決方案。
TSGOI晶圓的俯視圖及其橫截面
綜合信息